Вид памяти
EEPROM
Вид упаковки
бобина, лента
Виды интерфейса
последовательный
Время доступа
250нс
Интерфейс
Microwire
Корпус
TDFN8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
N93C66BT3ETAG
Память
4кб EEPROM
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...85°C
Рабочее напряжение
1,7...5,5В
Структура памяти
512x8/256x16бит
Тактовая частота
4МГц
Тип микросхемы
память EEPROM
Отзывы не найдены