Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
160нс
Время падения импульса
75нс
Выходной ток
-500...250мА
Защита
от снижения напряжения UVP
Класс напряжения
600В
Кол-во каналов
2
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
NCP5106ADR2G
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Отзывы не найдены