Вид микросхемы
high-side, low-side, контроллер затвора
Время нарастания импульса
160нс
Время падения импульса
75нс
Выходной ток
-500...250мА
Класс напряжения
200В
Код производителя
NCP5109BDR2G
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET
Отзывы не найдены