NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2

NCP5181DR2G
37216 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
Цена
338.07 ₽
298.30 ₽
266.10 ₽
Доступность: 1795 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2" 1.

Артикул производителя
NCP5181DR2G ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
60нс
Время падения импульса
40нс
Выходной ток
-2,2...1,4А
Защита
от снижения напряжения UVP
Класс напряжения
600В
Кол-во каналов
2
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
NCP5181DR2G
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены