Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

NCP5183DR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -4,3÷4,3А; 9÷18ВDC; 600В

Написать отзыв
NCP5183DR2G
52462 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
473.48 ₽
415.72 ₽
375.95 ₽
352.27 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "NCP5183DR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -4,3÷4,3А; 9÷18ВDC; 600В" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
NCP5183DR2G ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-side, low-side, контроллер затвора
Время нарастания импульса
40нс
Время падения импульса
40нс
Выходной ток
-4,3...4,3А
Класс напряжения
600В
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
NCP5183DR2G
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост MOSFET

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены