Вид микросхемы
high-side, контроллер затвора
Время нарастания импульса
19нс
Время падения импульса
17нс
Выходной ток
-800...500мА
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
NCP81080DR2G
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...140°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост MOSFET
Отзывы не найдены