Вид упаковки
бобина, лента
Время готовности
4нс
Конструкция диода
двойной, общий анод
Корпус
SOT563
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
NSDEMP11XV6T1G
Обратное напряжение макс.
80В
Производитель
ONSEMI
Прямой ток
0,1А
Тип диода
импульсный
Характеристики полупроводниковых элементов
малосигнальный
Отзывы не найдены