NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6

NTGD1100LT1G

Срок поставки 4-6 недель

176.02 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
78.23 ₽
70.58 ₽
56.12 ₽
52.72 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6" 1.

Артикул производителя
NTGD1100LT1G ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Код производителя
NTGD1100LT1G
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
0,43Вт
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
2,4А
Ток стока в импульсном режиме
10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России