NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

NTGD4167CT1G

Срок поставки 4-6 недель

158.16 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
108.84 ₽
78.23 ₽
68.03 ₽
51.02 ₽
45.92 ₽
40.82 ₽
39.97 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

Артикул производителя
NTGD4167CT1G ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
дополнительная пара
Вид упаковки
бобина, лента
Код производителя
NTGD4167CT1G
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Сопротивление в открытом состоянии
90/170мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
1,9/-1,4А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России