NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

NTHC5513T1G
254.53 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
175.98 ₽
159.37 ₽
126.13 ₽
119.34 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

Артикул производителя
NTHC5513T1G ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
дополнительная пара
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
3нC
Корпус
ChipFET
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
20/-20В
Обозначение производителя
NTHC5513T1G
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
115/240мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
3,9/-3А
Ток стока в импульсном режиме
12А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России