NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А

NTHD3101FT1G

Срок поставки 4-6 недель

182.82 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
118.20 ₽
106.29 ₽
84.18 ₽
79.08 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А" 1.

Артикул производителя
NTHD3101FT1G ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
7,4нC
Код производителя
NTHD3101FT1G
Корпус
ChipFET
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky
Ток стока
-2,3А
Ток стока в импульсном режиме
-13А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России