Вид памяти
EEPROM
Вид упаковки
бобина, лента
Виды интерфейса
последовательный
Время доступа
40нс
Интерфейс
SPI
Корпус
SOIC8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
NV25010DWHFT3G
Память
1кб EEPROM
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...150°C
Рабочее напряжение
2,5...5,5В
Структура памяти
128x8бит
Тактовая частота
10МГц
Тип микросхемы
память EEPROM
Отзывы не найдены