PJMD580N60E1_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 24А; 54Вт; TO252AA

PJMD580N60E1-L2
14299 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
130.68 ₽
120.27 ₽
109.85 ₽
103.22 ₽
92.80 ₽
91.86 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "PJMD580N60E1_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 24А; 54Вт; TO252AA" 1.

Артикул производителя
PJMD580N60E1_L2_00001 PanJit Semiconductor
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
15нC
Корпус
TO252AA
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
PJMD580N60E1_L2_00001
Полярность
полевой
Производитель
PanJit Semiconductor
Рассеиваемая мощность
54Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,58Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
24А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены