PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

PJT7600-R1

Срок поставки 4-6 недель

88.44 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
54.42 ₽
34.01 ₽
26.36 ₽
22.96 ₽
21.26 ₽
Доступность: 2685 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт" 1.

Артикул производителя
PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,6/2,2нC
Код производителя
PJT7600_R1_00001
Корпус
SOT363
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20/-20В
Полярность
полевой
Производитель
PanJit Semiconductor
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Сопротивление в открытом состоянии
400/600мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
1А/-700мА

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России