PMDPB58UPE,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -14,4А
PMDPB58UPE.115
Артикул производителя
PMDPB58UPE,115 NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
- — Работаем только юр. лицами
- — Оплата по счету
Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9,5нC
Код производителя
PMDPB58UPE,115
Корпус
DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Сопротивление в открытом состоянии
95мОм
Технология
Trench
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-2,3А
Ток стока в импульсном режиме
-14,4А
Отзывы не найдены