PMDPB80XP,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -11А

PMDPB80XP.115
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "PMDPB80XP,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -11А" 1.

Артикул производителя
PMDPB80XP,115 NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,6нC
Корпус
DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
PMDPB80XP,115
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Сопротивление в открытом состоянии
148мОм
Технология
Trench
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-1,7А
Ток стока в импульсном режиме
-11А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены