PMDPB80XP,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -11А
PMDPB80XP.115
Артикул производителя
PMDPB80XP,115 NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
- — Работаем только юр. лицами
- — Оплата по счету
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,6нC
Код производителя
PMDPB80XP,115
Корпус
DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Сопротивление в открытом состоянии
148мОм
Технология
Trench
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-1,7А
Ток стока в импульсном режиме
-11А
Отзывы не найдены