Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

PMDXB1200UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А

Написать отзыв
PMDXB1200UPEZ
000 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "PMDXB1200UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
PMDXB1200UPEZ NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,2нC
Корпус
DFN1010B-6, SOT1216
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
PMDXB1200UPEZ
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом
Технология
Trench
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-0,26А
Ток стока в импульсном режиме
-1,7А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены