PMDXB550UNEZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 30В; 370мА; Idm: 2,3А
PMDXB550UNEZ
Артикул производителя
PMDXB550UNEZ NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
- — Работаем только юр. лицами
- — Оплата по счету
Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,05нC
Код производителя
PMDXB550UNEZ
Корпус
DFN1010B-6, SOT1216
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Сопротивление в открытом состоянии
1,17Ом
Технология
Trench
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
0,37А
Ток стока в импульсном режиме
2,3А
Отзывы не найдены