PMDXB600UNELZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 400мА; Idm: 2,5А

PMDXB600UNELZ
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "PMDXB600UNELZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 400мА; Idm: 2,5А" 1.

Артикул производителя
PMDXB600UNELZ NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,7нC
Корпус
DFN1010B-6, SOT1216
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
PMDXB600UNELZ
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Технология
Trench
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
0,4А
Ток стока в импульсном режиме
2,5А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены