Вид упаковки
бобина, лента
Время готовности
31нс
Импульсный ток
85А
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
SOD128
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
PMEG200G30ELPX
Обратное напряжение макс.
200В
Падение напряжения макс.
0,81В
Производитель
NEXPERIA
Прямой ток
3А
Тип диода
выпрямительный
Ток утечки
30нА
Характеристики полупроводниковых элементов
silicon germanium diode (SiGe)
Отзывы не найдены