PMZB350UPE,315, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А

PMZB350UPE.315

Срок поставки 4-6 недель

0.00 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "PMZB350UPE,315, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А" 1.

Артикул производителя
PMZB350UPE,315 NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,9нC
Код производителя
PMZB350UPE,315
Корпус
DFN1006B-3, SOT883B
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Сопротивление в открытом состоянии
645мОм
Технология
Trench
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-0,7А
Ток стока в импульсном режиме
-2,8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России