PMZB670UPE,315, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -425мА; Idm: -2,7А

PMZB670UPE.315
0.00 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "PMZB670UPE,315, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -425мА; Idm: -2,7А" 1.

Артикул производителя
PMZB670UPE,315 NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,14нC
Корпус
DFN1006B-3, SOT883B
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
PMZB670UPE,315
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Технология
Trench
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-425мА
Ток стока в импульсном режиме
-2,7А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены