RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт

RD3G01BATTL1

Срок поставки 4-6 недель

261.90 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
250+
500+
1000+
5000+
Цена
180.27 ₽
142.86 ₽
120.75 ₽
104.59 ₽
90.14 ₽
83.33 ₽
79.08 ₽
73.13 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт" 1.

Артикул производителя
RD3G01BATTL1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
19,3нC
Код производителя
RD3G01BATTL1
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-15А
Ток стока в импульсном режиме
-30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России