RD3G03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт

RD3G03BATTL1

Срок поставки 4-6 недель

330.78 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
Цена
285.71 ₽
250.00 ₽
159.01 ₽
133.50 ₽
113.10 ₽
104.59 ₽
100.34 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RD3G03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

Артикул производителя
RD3G03BATTL1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
38нC
Код производителя
RD3G03BATTL1
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
56Вт
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-35А
Ток стока в импульсном режиме
-70А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России