Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

RD3G07BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -140А; 101Вт

Написать отзыв
RD3G07BATTL1
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RD3G07BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -140А; 101Вт" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
RD3G07BATTL1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
105нC
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
RD3G07BATTL1
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
101Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,7мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-70А
Ток стока в импульсном режиме
-140А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены