RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S

RF4G060ATTCR
17992 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
2000+
Цена
120.27 ₽
83.33 ₽
76.70 ₽
66.29 ₽
49.24 ₽
48.30 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Артикул производителя
RF4G060ATTCR ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
17,2нC
Корпус
DFN2020-8S
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
RF4G060ATTCR
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-6А
Ток стока в импульсном режиме
-24А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены