RGT30TM65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 16Вт; TO220NFM

RGT30TM65DGC9
430.04 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
10000+
Цена
384.19 ₽
325.69 ₽
298.81 ₽
232.41 ₽
205.53 ₽
203.95 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "RGT30TM65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 16Вт; TO220NFM" 1.

Артикул производителя
RGT30TM65DGC9 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
40нс
Время выключения
204нс
Заряд затвора
32нC
Корпус
TO220NFM
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Обозначение производителя
RGT30TM65DGC9
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
16Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
Ток коллектора в импульсе
45А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Описание (rgt30tm65d.pdf, 1,283 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены