RGT40NS65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 70Вт; LPDS

RGT40NS65DGTL

Срок поставки 4-6 недель

506.16 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
500+
Цена
432.21 ₽
396.06 ₽
343.47 ₽
278.55 ₽
269.52 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RGT40NS65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 70Вт; LPDS" 1.

Артикул производителя
RGT40NS65DGTL ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
бобина, лента
Время включения
51нс
Время выключения
204нс
Заряд затвора
40нC
Код производителя
RGT40NS65DGTL
Корпус
LPDS
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
70Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
60А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России