Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

RGT50NS65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO262

Написать отзыв
RGT50NS65DGC9
68845 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
584.28 ₽
495.27 ₽
453.60 ₽
359.85 ₽
341.86 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "RGT50NS65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO262" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
RGT50NS65DGC9 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
65нс
Время выключения
210нс
Заряд затвора
49нC
Корпус
TO262
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Обозначение производителя
RGT50NS65DGC9
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
97Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
75А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены