RGT50NS65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO262

RGT50NS65DGC9

Срок поставки 4-6 недель

659.82 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
442.89 ₽
396.06 ₽
373.87 ₽
337.72 ₽
327.03 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RGT50NS65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO262" 1.

Артикул производителя
RGT50NS65DGC9 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
65нс
Время выключения
210нс
Заряд затвора
49нC
Код производителя
RGT50NS65DGC9
Корпус
TO262
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
97Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
75А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Описание (rgt50ns65d.pdf, 738 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России