RGT50TM65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 13А; 23Вт; TO220NFM

RGT50TM65DGC9
45511 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
408.45 ₽
362.68 ₽
325.70 ₽
301.06 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "RGT50TM65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 13А; 23Вт; TO220NFM" 1.

Артикул производителя
RGT50TM65DGC9 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
65нс
Время выключения
210нс
Заряд затвора
49нC
Корпус
TO220NFM
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Обозначение производителя
RGT50TM65DGC9
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
23Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
13А
Ток коллектора в импульсе
75А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены