RGW80TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 107Вт; TO247-3

RGW80TS65DGC11
1 13731 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
30+
90+
120+
450+
510+
900+
Цена
928.98 ₽
849.43 ₽
775.57 ₽
753.79 ₽
661.93 ₽
654.36 ₽
614.58 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "RGW80TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 107Вт; TO247-3" 1.

Артикул производителя
RGW80TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
59нс
Время выключения
228нс
Заряд затвора
110нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Обозначение производителя
RGW80TS65DGC11
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
107Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
160А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены