RQ3E120ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8

RQ3E120ATTB

Срок поставки 4-6 недель

201.53 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
125.85 ₽
85.03 ₽
79.93 ₽
Доступность: 2938 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E120ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3E120ATTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
62нC
Код производителя
RQ3E120ATTB
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
20Вт
Сопротивление в открытом состоянии
11,3мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-39А
Ток стока в импульсном режиме
-48А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России