RQ3E130BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8

RQ3E130BNTB
10227 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
84.28 ₽
57.77 ₽
43.56 ₽
38.83 ₽
38.83 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RQ3E130BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3E130BNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
RQ3E130BNTB
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
16Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
39А
Ток стока в импульсном режиме
52А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены