RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8

RQ3E160ADTB
88.37 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
500+
1000+
Цена
74.42 ₽
66.67 ₽
56.59 ₽
48.06 ₽
46.51 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3E160ADTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
51нC
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
RQ3E160ADTB
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
64А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены