RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8

RQ3G150GNTB
22538 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
141.10 ₽
111.74 ₽
94.70 ₽
88.07 ₽
79.55 ₽
73.86 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3G150GNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
24,1нC
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
RQ3G150GNTB
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
20Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
39А
Ток стока в импульсном режиме
60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены