RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD

RRS100P03HZGTB
23106 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
2500+
5000+
Цена
202.65 ₽
171.40 ₽
151.52 ₽
144.89 ₽
137.31 ₽
131.63 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

Артикул производителя
RRS100P03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
39нC
Корпус
SOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
RRS100P03HZGTB
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-10А
Ток стока в импульсном режиме
-40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены