RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD

RRS100P03HZGTB

Срок поставки 4-6 недель

417.52 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
2500+
5000+
Цена
301.02 ₽
221.09 ₽
181.12 ₽
168.37 ₽
153.06 ₽
143.71 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

Артикул производителя
RRS100P03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
39нC
Код производителя
RRS100P03HZGTB
Корпус
SOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-10А
Ток стока в импульсном режиме
-40А

Отзывы не найдены

Описание (rrs100p03hzgtb.pdf, 2,714 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России