RS3G160ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 2Вт; SOP8

RS3G160ATTB1
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RS3G160ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 2Вт; SOP8" 1.

Артикул производителя
RS3G160ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,12мкC
Корпус
SOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
RS3G160ATTB1
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-16А
Ток стока в импульсном режиме
-64А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены