S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт

S2M0120120J-SMC
‍959‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
Цена
660 ₽
598 ₽
572 ₽
538 ₽
513 ₽
Доступность: 48 шт.
+

Минимальное количество для товара "S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

Артикул производителя
S2M0120120J SMC DIODE SOLUTIONS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
29,6нC
Корпус
D2PAK-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
S2M0120120J
Полярность
полевой
Производитель
SMC DIODE SOLUTIONS
Рассеиваемая мощность
153Вт
Сопротивление в открытом состоянии
212мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
15А
Ток стока в импульсном режиме
66А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (s2m0120120j.pdf, 4,616 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены