S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт

S2M0120120JTR-SMC
1 119 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
769 ₽
671 ₽
630 ₽
543 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

Артикул производителя
S2M0120120J SMC DIODE SOLUTIONS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
29,6нC
Корпус
D2PAK-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
S2M0120120J
Полярность
полевой
Производитель
SMC DIODE SOLUTIONS
Рассеиваемая мощность
153Вт
Сопротивление в открытом состоянии
212мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
15А
Ток стока в импульсном режиме
66А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены