SEMIX106GD12T4P 27896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А

SEMIX106GD12T4P
105 705.93 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
6+
12+
Цена
92 921.23 ₽
83 571.64 ₽
75 176.29 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SEMIX106GD12T4P 27896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Артикул производителя
SEMIX106GD12T4P 27896010 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMiX® 6p
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SEMIX106GD12T4P 27896010
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
300А
Топология
3-фазный мост IGBT, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit

Отзывы не найдены

Описание (semix106gd12t4p.pdf, 805 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России