SEMIX151GAL12E4S 27890102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А

SEMIX151GAL12E4S

Срок поставки 4-6 недель

38 998.33 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
4+
8+
16+
Цена
34 336.67 ₽
30 734.17 ₽
28 612.50 ₽
26 705.83 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12E4S 27890102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

Артикул производителя
SEMIX151GAL12E4S 27890102 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
SEMIX151GAL12E4S 27890102
Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
SEMIX1S
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
150А
Ток коллектора в импульсе
450А
Топология
boost chopper, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Описание (semix151gal12e4s.pdf, 453 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России