SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

SEMIX223GB12M7P
78 624.51 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
6+
12+
Цена
69 116.21 ₽
61 984.19 ₽
55 767.59 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Артикул производителя
SEMIX223GB12M7P 27895102 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMiX® 3p
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SEMIX223GB12M7P 27895102
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
225А
Ток коллектора в импульсе
450А
Топология
полумост IGBT, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Описание (semix223gb12m7p.pdf, 657 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены