SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А

SEMIX223GD12E4C

Срок поставки 4-6 недель

252 222.50 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
4+
8+
16+
Цена
222 550.00 ₽
199 870.00 ₽
186 517.50 ₽
173 164.17 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А" 1.

Артикул производителя
SEMIX223GD12E4C 27890208 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
SEMIX223GD12E4C 27890208
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMIX®33c
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
225А
Ток коллектора в импульсе
675А
Топология
3-фазный мост IGBT, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Описание (semix223gd12e4c.pdf, 474 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России