SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

SEMIX302GB12E4S

Срок поставки 4-6 недель

37 728.33 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
6+
12+
Цена
33 064.17 ₽
29 885.00 ₽
26 705.83 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Артикул производителя
SEMIX302GB12E4S 27890120 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
SEMIX302GB12E4S 27890120
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMIX2S
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
300А
Ток коллектора в импульсе
900А
Топология
полумост IGBT, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Описание (semix302gb12e4s.pdf, 464 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России