Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

Написать отзыв
SEMIX303GB12E4I50P
107 85211 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
6+
12+
Цена
94 879.40 ₽
85 198.06 ₽
76 677.82 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SEMIX303GB12E4I50P 27897007 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMiX® 3p
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SEMIX303GB12E4I50P 27897007
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
300А
Ток коллектора в импульсе
900А
Топология
полумост IGBT, термистор, токовый шунт
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены