Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

Написать отзыв
SEMIX303GB12E4I50P
116 02273 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
6+
12+
Цена
102 067.23 ₽
91 652.46 ₽
82 486.74 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SEMIX303GB12E4I50P 27897007 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMiX® 3p
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SEMIX303GB12E4I50P 27897007
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
300А
Ток коллектора в импульсе
900А
Топология
полумост IGBT, термистор, токовый шунт
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены