Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMIX®33c
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SEMIX303GD12E4C 27890210
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
300А
Ток коллектора в импульсе
900А
Топология
3-фазный мост IGBT, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами
Отзывы не найдены