SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А

SEMIX303GD12E4C
291 61932 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
4+
8+
16+
Цена
256 208.33 ₽
229 128.79 ₽
214 548.30 ₽
200 067.23 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Артикул производителя
SEMIX303GD12E4C 27890210 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMIX®33c
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SEMIX303GD12E4C 27890210
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
300А
Ток коллектора в импульсе
900А
Топология
3-фазный мост IGBT, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены