SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А

SEMIX453GD12E4C
374 93939 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
4+
8+
16+
Цена
329 113.64 ₽
295 785.98 ₽
277 038.83 ₽
257 419.51 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

Артикул производителя
SEMIX453GD12E4C 27890212 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMIX®33c
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SEMIX453GD12E4C 27890212
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
450А
Ток коллектора в импульсе
1,35кА
Топология
3-фазный мост IGBT, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены